G3S06510C
Global Power Technology-GPT
Deutsch
Artikelnummer: | G3S06510C |
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Hersteller / Marke: | SemiQ |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.30 |
10+ | $4.756 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Cut Tape (CT) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Strom - Richt (Io) | 34A |
Kapazität @ Vr, F | 690pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 40A TO247AB
DIODE SIL CARB 650V 60A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 14A TO220F
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO263
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 3-PI
DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
DIODE SIC 650V 32.8A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 35A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 21A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220F
DIODE SIC 650V 25.5A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO263
DIODE SIL CARB 650V 26A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() G3S06510CGlobal Power Technology-GPT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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